供應(yīng)PW3467,MOS管原裝現(xiàn)貨，技術(shù)支援
聯(lián)系我們詳情
一般說明
PW3467
采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)良的
RDS
（
ON
），低柵極充電和低至
4.5V
的柵極電壓操作。該器件適用于電池保護(hù)或其他開關(guān)應(yīng)用。
特征
- VDS=30V ID=67A
- RDS（開）<5.5mΩ@VGS=10V
- 提供8針DFN3*3封裝
代理商：深圳市夸克微科技 鄭先生 ：13528458039 QQ 2867714804
絕對最大額定值（TC=25℃，除非另有說明）
|
參數(shù) |
符號 |
評級 |
單位 |
|
漏源極電壓 |
VDS |
30 |
V |
|
柵源電壓 |
VGS |
±20 |
V |
|
持續(xù)漏電流， VGS@10V （注 1 ） |
ID@TC=25℃ |
70 |
A |
|
持續(xù)漏電流， VGS@10V （注 1 ） |
ID@TC=100℃ |
51 |
A |
|
持續(xù)漏電流， VGS@10V （注 1 ） |
ID@TA=25℃ |
15 |
A |
|
持續(xù)漏電流， VGS@10V （注 1 ） |
ID@TA=70 ℃ |
12 |
A |
|
脈沖漏電流（注 2 ） |
IDM |
160 |
A |
|
總功耗（注 3 ） |
PD @TC=25℃ |
59 |
W |
|
總功耗（注 3 ） |
PD @TA=25℃ |
2 |
W |
|
儲存溫度范圍 |
TSTG |
-55 至 150 |
℃ |
|
工作結(jié)溫范圍 |
TJ |
-55 至 155 |
℃ |
|
單脈沖雪崩能量（注 4 ） |
EAS |
115.2 |
mJ |
|
雪崩電流 |
IAS |
48 |
A |
|
熱電阻接線盒（注 1 ） |
RθJC |
2.1 |
℃ /W |
|
熱電阻結(jié)環(huán)境（注 1 ） |
RθJA |
62 |
℃ /W |
注意
1、 數(shù)據(jù)通過表面安裝在1英寸2 FR-4板上的2OZ銅進(jìn)行測試。
2、 測試數(shù)據(jù)由脈沖，脈沖寬度。EAS數(shù)據(jù)顯示最大額定值。
3、 其功耗受175℃結(jié)溫的限制
4、 試驗條件為V≤300us，占空比DD=25≤V，V 2%GS=10V，L=0.1mH，IAS=53.8A
5、 數(shù)據(jù)理論上與ID和IDM相同，在實際應(yīng)用中，應(yīng)受到總功耗的限制
| 聯(lián)系人： | 鄭先生（夸克微科技，不是夸克瀏覽器的） |
|---|---|
| 電話： | 13528458039 |
| Email： | zqf@kkmicro.com |
| QQ： | 2867714804 |
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