代理PW2320芯片,N溝道增強(qiáng)型MOSFET,先進(jìn)的溝道技術(shù),良好的RDS(ON)
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一般說明
PW2320 采用先進(jìn)的溝道技術(shù),提供良好的 RDS ( ON ),低柵極充電和低至 2.5V 的柵極電壓操作。該設(shè)備適合用作電池保護(hù)或其他開關(guān)應(yīng)用。
特征
l VDS=20V ID=8A
l RDS(開)<12mΩ@VGS=4.5V
l 提供3針SOT23-3封裝
注:
1、 重復(fù)額定值:脈沖寬度由最高結(jié)溫限制。
2、 明裝在FR4板上,t≤10秒。
3、 脈沖測(cè)試:脈沖寬度≤300μs,占空比≤2%。
4、 設(shè)計(jì)保證,不受生產(chǎn)限制
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