PW3400A采用環(huán)保材質(zhì)的A09T的MOS管
詳情
PW3400A采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，高密度，低導(dǎo)通電阻，是一個(gè)非常有效和可靠的 MOS管裝置。 PW3400A是一顆 N溝道的低內(nèi)阻場(chǎng)效應(yīng) MOS管。
PW3400A具有比 PW2302A更高的 ID電流值，和更高的 VDS耐壓
PW3400A基本參數(shù)：VDS = 30V， ID =5.8A， RDS(ON)< 28mΩ @ VGS=10V
PW3400A 采用 SOT23-3L環(huán)保材質(zhì)的封裝形式。
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